Samsung Foundry, bien qu’étant le premier fabricant de puces à utiliser des transistors gate-all-around (GAA) pour la technologie de production en 3 nm, continuait à utiliser la technologie de distribution de puissance classique.
Cependant, avec le processus de production en 2 nm, l’entreprise adoptera le réseau de distribution de puissance arrière (BSPDN).
Le rapport affirme que les résultats prometteurs obtenus grâce à la distribution de puissance arrière ont incité Samsung à reconsidérer l’application de BSPDN en tant que technologie de processus commerciale.
Il était prévu passerait à cette technologie avec un nœud de 1,7 nm, mais selon la feuille de route de l’entreprise, la transition se fera avec le processus en 2 nm (SF2) en 2025.
Samsung technologie avec un nœud 1,7 nm
Cependant, le rapport souligne un point important : la feuille de route actuelle ne comprend aucun processus en 1,7 nm et seuls les processus SF2, SF2P et SF1.4 (1,4 nm) sont répertoriés.
Selon l’article présenté par Samsung lors du Symposium VLSI en 2023, la société a mis en œuvre une distribution de puissance arrière pour deux puces de test basées sur Arm, obtenant ainsi une réduction de 10 % et 19 % de la zone de matrice. La distribution de puissance arrière permet l’utilisation de câbles plus épais et à plus faible résistance.
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capables de transférer plus de puissance pour assurer des performances accrues et des économies d’énergie. Samsung mentionne dans l’article une amélioration de la performance de 9,2 % grâce à une réduction de 9,2 % de la longueur des câbles.
Si le rapport est exact, l’intégration de la distribution de puissance arrière dans le SF2 placerait Samsung dans une position beaucoup plus compétitive face aux technologies de production de 20A et 18A d’Intel en 2025, ainsi qu’au processus N2P de TSMC prévu pour 2026-2027.
De plus, nous pouvons nous attendre à des améliorations significatives en termes de performances et d’efficacité dans les futurs processeurs Samsung.
